بررسی تاثیر میدان مغناطیسی بر جریان سیال، انتقال حرارت و تولید آنتروپی نانوسیال با خواص متغیر در محفظه های ذوزنقه ای

هدف از این تحقیق بررسی میدان جریان، انتقال حرارت و تولید انتروپی جابه جایی توام نانوسیال آب – مس با خواص متغیر در محفظه ی ذوزنقه ای در نسبت های منظری مختلف تحت تاثیر میدان مغناطیسی می باشد. دیواره های جانبی محفظه عایق بوده، دیواره ی بالایی سرد و متحرک و دیواره ی پایینی گرم است. مطالعه در عدد گراشف ثابت 104، برای اعداد رینولدز و هارتمن مختلف، زوایه های ?15، ?30، ?45 و ?60 دیواره های جانبی با افق و کسرهای حجمی مختلفی از نانوذرات انجام شده است. معادلات حاکم به کمک روش حجم محدود و الگوریتم سیمپلر به صورت عددی حل شدند. نتایج نشان دادند اعمال میدان مغناطیسی، با توجه به جهت انتخابی آن در این تحقیق، و افزایش آن، سرعت نانوسیال و در نتیجه قدرت جریان را کاهش می دهد. با افزایش عدد هارتمن جابه جایی توام ضعیف شده و با توجه به زاویه ی دیواره های جانبی با افق و عدد رینولدز، رفتار جابه جایی توام نانوسیال به رفتار جابه جایی آزاد نانوسیال و یا رسانایی حرارتی نزدیک می شود. در اعداد رینولدز زیاد نسبت به رینولدزهای کم در اعداد هارتمن بالاتری جابه جایی توام نانوسیال تضعیف می شود. در همه ی اعداد رینولدز و کسرهای حجمی مورد بررسی با افزایش عدد هارتمن، عدد ناسلت متوسط کاهش می یابد. همچنین در حالت های بررسی شده، انتروپی تولیدی ناشی از اصطکاک بسیار ناچیز می باشد و سهم عمده ی تولید انتروپی متعلق به انتروپی تولیدی ناشی از حرارت می باشد. با توجه به این مطلب تقریبا در همه ی حالت های بررسی شده تغییرات انتروپی تولیدی کل مشابه تغییرات عدد ناسلت متوسط می باشد.